"반도체 메모리 용량 1000배 늘릴 원리 발견"

UNIST 이준희 교수팀 '산화하프늄' 신기능 관련 논문 '사이언스' 발표

문기수 기자 승인 2020.07.03 11:20 | 최종 수정 2020.07.03 12:16 의견 0
이준희 울산과학기술원 에너지 및 화학공학부 교수./사진=삼성전자


[포쓰저널=문기수 기자] 메모리 소자의 저장용량을 1000배 향상 시킬 수 있는 가능성이 국내 연구진에 의해 열렸다.

메모리 반도체 성능의 획기적인 발전을 가져다줄 것으로 기대되고 있다. 

3일 울산과학기술원(UNIST)에 따르면 에너지 및 화학공학부 이준희 교수팀이 찾아낸 산화하프늄(HfO2)의 신기능 관련 논문이 2일(미국 시간) 국제학술지 사이언스에서 발표됐다.

논문명은 ‘Scale-free ferroelectricity induced by flat phonon bands in HfO2’이며, 저자는 이준희 교수 를 비롯해 연구팀 9명이다.

이 교수팀은 산화하프늄(HfO2)라는 반도체에 특정전압을 가하면 원자를 스프링처럼 강하게 묶던 상호작용이 완전히 사라지는 새로운 물리현상을 발견했다.

이를 통해 메모리 소자의 저장용량을 최대 1000배까지 향상 시킬수 있다는 것이다.

산화하프늄은 현재 메모리 반도체 공정에서 흔히 사용하는 소재다. 이 현상을 적용할 경우 스마트폰, 태블릿 등 다양한 제품의 메모리 성능을 한층 끌어올릴 수 있어 산업계에 파급이 클 것으로 예상된다.

이 교수팀은 이 이론을 적용하면 기존 메모리 소재로는 불가능하다고 여겼던 저장용량의 한계를 돌파할 수 있을 것이라고 전망했다.

이준희 교수는 “향후 초집적 반도체 분야에서 세계적 경쟁력을 확보하기 위한 중요한 기반이 될 수 있는 이론이다. 현 반도체 산업의 마지막 집적 저장 기술이 될 확률이 높다”고 연구의 파급력을 설명했다.

이 연구수행은 과학기술정보통신부가 계산과학 등 신연구방법론으로 새로운 물성과 기능을 구현하는 신소재 개발 추진하는 ‘미래소재 디스커버리사업’과 데이터 집약형 공학·과학분야 문제해결을 지원하는 ‘국가초고성능컴퓨팅 센터’의 지원 등으로 이뤄졌다.

지난해 12월 삼성미래기술육성사업 과제로 선정돼 삼성전자로부터 연구 지원을 받고 있다.

 

 

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